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编号 | 类型 | 领域 | 问题（锚定尺度） | 逐步推理思考的数学方程式（多工具角度）及组合约束方程式 | 关联知识 |
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1229 | 封装工艺 | 高端GPU/ASIC 3D堆叠 混合键合节距缩放 | 混合键合互连节距向200nm演进与D2W 2µm量产窗口（imec 2024 D2W 2µm；2026 imec+EVG W2W 200nm；互连密度>16×） | 几何学：混合键合互连节距从传统微凸点>20µm缩小至D2W 2µm（imec 2024演示）、W2W 500nm（当前目标）、W2W 200nm（imec+EVG 2026演示，创纪录套刻精度）。Cu键合焊盘CD≈226nm@400nm节距。 |
混合键合（Hybrid Bonding, HB）互连节距的持续缩放，本质上是一个"信号完整性先改善、后恶化"的非单调过程——在从微凸点（20-50µm）向