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Samsung K4T1G164QE-HCE7引脚功能与封装：DDR2 SDRAM内存颗粒数据手册

news 2026/6/9 1:19:20

K4T1G164QE-HCE7：三星1Gb DDR2 SDRAM内存颗粒深度解析

在固态硬盘（SSD）缓存、网络通信设备、工业嵌入式系统以及各类需要高速数据缓冲的应用中，DDR2 SDRAM以其成熟的接口和稳定的性能，成为系统设计中重要的存储组件。三星电子（Samsung Electronics）推出的K4T1G164QE-HCE7作为1Gb DDR2 SDRAM颗粒，在84-ball FBGA封装内集成了64M×16的组织结构、800Mbps数据速率和1.8V标准工作电压，为SSD缓存、网络设备及嵌入式系统等应用提供了成熟可靠的内存解决方案。

K4T1G164QE-HCE7是三星电子（Samsung Electronics）推出的一款1Gb DDR2 SDRAM（第二代双倍数据速率同步动态随机存取存储器），属于K4T1G164QE系列。该器件采用84-ball FBGA封装，集成了64M×16的组织结构、800Mbps数据速率（DDR2-800）、1.8V标准工作电压，支持最高95°C的扩展温度范围，为固态硬盘缓存、网络通信设备及工业嵌入式系统等应用提供了高带宽、低功耗的内存解决方案。

一、产品定位与概述

K4T1G164QE-HCE7隶属于三星DDR2 SDRAM产品线，是一款标准的1Gb（128MB）内存颗粒。该器件采用84-ball FBGA封装，是DDR2 x16颗粒的标准封装形式，适用于表面贴装生产。

产品属性	规格	说明
制造商	Samsung（三星电子）	全球领先的存储器半导体制造商
产品类别	DDR2 SDRAM	第二代双倍数据速率同步动态随机存取存储器
存储容量	1Gb（1024Mbit）	约128MB
组织结构	64M × 16位	64M个地址 × 16位数据宽度
数据速率	800Mbps（DDR2-800）	每引脚800兆位/秒
时钟频率	400MHz	内部时钟频率
CAS延迟	5（DDR2-800）	支持CL=3,4,5,6
工作电压	1.8V ±0.1V	JEDEC标准DDR2电压
封装类型	FBGA-84	84-ball细间距球栅阵列
封装尺寸	12.5mm × 7.5mm × 1.2mm	标准DDR2 x16尺寸
温度范围	最高95°C	扩展温度范围

K4T1G164QE-HCE7是1Gb容量的DDR2颗粒，相比512Mb型号容量翻倍，是三星第六代DDR2产品，技术成熟度高。

二、核心技术特性

K4T1G164QE-HCE7在数据速率、功耗控制和接口带宽方面的表现是其核心竞争力。

2.1 800Mbps数据速率（DDR2-800）

参数	规格	说明
时钟频率	400MHz（内部）	—
数据传输速率	800 Mbps	每引脚数据速率
等效频率	800 MHz	DDR（双倍数据速率）
CAS延迟（CL）	5（DDR2-800）	支持CL=3,4,5,6
tRCD（最小值）	15ns	RAS到CAS延迟
tRP（最小值）	15ns	行预充电时间
带宽（×16）	1.6 GB/s	800Mb/s × 16bit ÷ 8

800Mbps数据速率是该器件的核心速度等级。DDR2-800是该世代的主流速度等级之一，在带宽与成本之间取得了良好平衡。对于×16位宽的器件，单颗颗粒的理论带宽约为1.6GB/s，可充分满足SSD主控和网络处理器对缓存带宽的需求。

该器件支持多种速度等级配置，K4T1G164QE-HCE7对应的是DDR2-800配置：

支持CAS延迟=5是该型号的标准配置
可编程CAS延迟支持3、4、5、6等多个选项
支持Posted CAS和附加延迟（Additive Latency）功能

2.2 1.8V工作电压

电压参数	最小值	典型值	最大值	单位
工作电压（VDD/VDDQ）	1.7	1.8	1.9	V

1.8V工作电压是DDR2相比于DDR1的核心改进之一。相比DDR1的2.5V电压，DDR2的1.8V在同等频率下可显著降低功耗，这对于SSD和网络设备的长期稳定运行具有实际意义。

VDD和VDDQ均使用1.8V供电，简化了电源系统设计。所有产品均为无铅、无卤素（Halogen-Free）且符合RoHS标准。

2.3 存储组织：64M × 16

K4T1G164QE-HCE7采用64M × 16的组织结构：

64M（地址深度）：每个颗粒包含67,108,864个存储地址（64M = 64 × 2^20）
×16（数据宽度）：每个地址对应16位并行数据输出

这种×16的组织方式使得单颗芯片即可提供16位的数据总线宽度，非常适合直接与处理器或主控芯片连接。相比512Mb型号，1Gb容量的地址深度翻倍，可在不增加引脚数量的情况下提供更大的存储空间。

2.4 供电电流

参数	最大值	单位
最大供电电流	125mA	mA

125mA的最大供电电流在1Gb DDR2颗粒中属于正常水平，配合1.8V低电压，整体功耗控制良好。

2.5 工作模式与特性

K4T1G164QE-HCE7支持完整的DDR2标准功能集：

特性	规格	说明
Bank数量	8 Banks	相比早期DDR2的4 Bank翻倍
Posted CAS	支持	支持附加延迟（Additive Latency），可配置0-5
可编程CAS延迟	3,4,5,6	灵活配置
可编程附加延迟	0,1,2,3,4,5	Posted CAS功能
突发长度	4,8	交错/顺序模式
OCD阻抗调节	支持	输出驱动阻抗校准
ODT（片上端接）	支持（50Ω选项）	简化PCB设计
差分数据选通	双向DQS/DQS#	源同步接口

8 Bank架构是该器件相比早期DDR2产品的重要升级。8个Bank可同时交错操作，显著提高了数据吞吐量，降低了Bank冲突导致的访问延迟。

ODT（On-Die Termination，片上端接）是DDR2相比DDR1的重要改进。片内集成50Ω端接电阻，无需外部终端电阻，简化了PCB设计并降低了BOM成本。

2.6 温度规格与刷新机制

K4T1G164QE-HCE7支持扩展温度范围，刷新周期根据温度自适应调整。

温度参数	规格	说明
最高工作温度（TCASE）	95°C	扩展温度范围
标准刷新周期	7.8μs	TCASE ≤ 85°C
高温刷新周期	3.9μs	85°C < TCASE ≤ 95°C
自刷新模式	支持	低功耗数据保持

95°C的最高工作温度是该器件的重要特性。在SSD等紧凑设备中，内部温度可能较高，95°C的规格使该器件能够在这些环境下稳定工作。

温度自适应刷新（High Temperature Self-Refresh Rate Enable）：当温度超过85°C时，DRAM单元的数据保持时间缩短。DDR2标准要求将刷新频率加倍（周期从7.8μs缩短至3.9μs）以维持数据完整性，这一功能通过模式寄存器配置启用。

三、封装规格与引脚说明

K4T1G164QE-HCE7采用84-ball FBGA封装（Fine-pitch Ball Grid Array），封装尺寸为12.5mm × 7.5mm × 1.2mm。

封装参数	规格	说明
封装类型	FBGA-84	细间距球栅阵列
封装尺寸	12.5mm × 7.5mm × 1.2mm	标准DDR2 x16尺寸
球间距	0.8mm	标准间距
端子形式	BALL（焊球）	表面贴装
引脚数量	84	标准FBGA-84
无铅合规	是	无铅、无卤素、RoHS合规

84-ball FBGA封装采用球阵排列，数据总线宽度为16位（×16组织），使用两组数据选通：LDQS/LDQS#用于低8位（DQ0-DQ7），UDQS/UDQS#用于高8位（DQ8-DQ15）。

四、型号命名规则解读

K4T1G164QE-HCE7的命名规则揭示了该型号的完整规格信息：

字段	含义	说明
K4	三星DRAM产品线	三星标准前缀
T	DDR2 SDRAM	产品类型标识
1G	密度	1Gb（1024Mbit）
164	组织结构	64M × 16（16 = x16）
QE	版本/工艺	Q系列，E版本
H	环保合规	无铅、无卤素、RoHS合规
C	温度/电压	普通功耗/商业温度
E7	速度等级	DDR2-800（400MHz）