1833 高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路
概述
1833系列电路是一款高精度的单节内置MOSFET可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。
正常状态下，1833的VDD端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（V
OD之间，且其 VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时 1833使内置N-MOS管 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使 电池放电。
1833通过检测VDD或VM端电压（相对于GND端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时， 内置 N-MOS由导通变为截止，从而充/放电过程停止。
1833对每种保护状态都有相应的恢复条件，当 恢复条件满足以后，内置N-MOS由截止变为导通，从而 进入正常状态。
1833对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后， 才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的 延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。
1833工作时功耗非常低，采用非常小的DFN-6L的封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池组应用。
本产品不适用与无线及射频信号排布及屏蔽太差的产品，另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。
特性
单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
内置低导通内阻 N-MOSFET
高精度的过充电保护电压检测 4.400V±25mV
高精度的过放保护电压检测 2.500V±75mV
高精度过电流放电保护检测
电池短路保护
有 0V充电
带有过充、过放自动恢复功能
内部集成 RC、内置MOSFET（无需任何外围器件）
超小型化的 DFN-6L封装
MOSFET:RSS(on)<60mΩ(VGS=3.8V,ID=1A)
产品应用
锂电池的充电、放电保护电路
电话机电池或其它锂电池高精度保护器
订购信息
引脚示意图及说明
功能框图
电压检测阈值及延迟时间
极限参数
电气参数(除非特别注明，典型值的测试条件为：VDD = 3.6V，TA = 25℃。标注“■”的工作温度为：－40℃≤TA≤85℃)
典型应用电路图