简介今天我要向大家介绍的是TT Electronics/Semelab的金金属化多用途硅DMOS RF FET晶体管——D1027UK。这是一款专为VHF/UHF通信频段1 MHz至200 MHz设计的推挽式Push-Pull射频功率场效应管在28V工作电压、175MHz频率下可提供高达350W的输出功率。作为一款高性能射频器件它具备极低的反向传输电容典型值1 pF和低噪声特性极大简化了放大器设计其简单的偏置电路与优异的宽带适用性确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行支持20:1的负载失配容忍度是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。主要特性类型 金金属化多用途硅DMOS RF FET推挽式/Push-Pull工作条件 VDS 28VIDQ 2Af 175MHz输出功率 350W在175MHz下功率增益 13 dB 最小值在150W输出175MHz下漏极效率 70%典型值在350W输出175MHz下在150W输出时典型值为50%灵敏度/容差 负载失配容忍度 20:1 VSWR反向传输电容 极低典型值1 pF漏源击穿电压 70V热阻 结到外壳最大 0.4°C/W工作/存储温度 -65°C 至 150°C存储温度最高结温200°C应用VHF/UHF 通信系统1 MHz至200 MHz宽带射频放大器应用简化设计的射频功率放大模块工业及要求高增益、高效率的射频发射设备相关型号D1028UKD1029UKD1030UKD1031UKD1034UKD1036UKD1053UKD1093UKD1094UKD2001UKD2002UKD2003UKD2004UKD2005UKD2006UK
